逍遙右腦記憶網(wǎng)-免費(fèi)提供各種記憶力訓(xùn)練學(xué)習(xí)方法!
超右腦
|
催眠術(shù)
|
潛能開發(fā)
|
影像閱讀
|
右腦開發(fā)訓(xùn)練
|
網(wǎng)站地圖
記憶方法
右腦開發(fā)
快速閱讀
思維導(dǎo)圖
學(xué)習(xí)方法
學(xué)習(xí)計(jì)劃
作文大全
早期教育
勵(lì)志名言
右腦記憶
記憶法
|
記憶宮殿
|
記憶力訓(xùn)練
記憶術(shù)
|
最強(qiáng)大腦
|
右腦記憶法
學(xué)習(xí)方法
高中學(xué)習(xí)方法
|
高考
|
小學(xué)資源
|
單詞記憶
初中學(xué)習(xí)方法
|
中考
|
教案設(shè)計(jì)
|
試題中心
潛能成功
吸引力法則
|
成功學(xué)
|
九型人格
注意力訓(xùn)練
|
潛意識(shí)
|
思維模式
高中學(xué)習(xí)方法
高中語文
高中英語
高中數(shù)學(xué)
高中物理
高中化學(xué)
高中生物
高中政治
高中歷史
高中地理
高中教案
高中試題
高一學(xué)習(xí)方法
高一語文
高一數(shù)學(xué)
高一英語
高一物理
高一化學(xué)
高一生物
高一政治
高一歷史
高一地理
高一學(xué)習(xí)
高二學(xué)習(xí)方法
高二語文
高二數(shù)學(xué)
高二英語
高二物理
高二化學(xué)
高二生物
高二政治
高二歷史
高二地理
高二學(xué)習(xí)
高三學(xué)習(xí)方法
高三語文
高三數(shù)學(xué)
高三英語
高三物理
高三化學(xué)
高三生物
高三政治
高三歷史
高三地理
高三學(xué)習(xí)
逍遙右腦記憶
>
高中學(xué)習(xí)方法
>
高中物理
>
高二物理電場強(qiáng)度檢測(cè)題
編輯:
逍遙路
關(guān)鍵詞:
高中物理
來源:
高中學(xué)習(xí)網(wǎng)
1.電場中有一點(diǎn)P,下列哪種說法是正確的( )
A.若放在P點(diǎn)電荷的電荷量減半,則P點(diǎn)的場強(qiáng)減半
B.若P點(diǎn)沒有試探電荷,則P點(diǎn)場強(qiáng)為零
C.P點(diǎn)場強(qiáng)越大,則同一電荷在P點(diǎn)所受靜電力越大
D.P點(diǎn)的場強(qiáng)方向?yàn)樵囂诫姾稍谠擖c(diǎn)的受力方向
解析:選C.電場中某點(diǎn)的電場強(qiáng)度與試探電荷無關(guān),故A、B錯(cuò);由于F=qE知,C對(duì);場強(qiáng)方向與正試探電荷受力方向相同,故D錯(cuò).
2.(2011年杭州檢測(cè))真空中距點(diǎn)電荷(電量為Q)為r的A點(diǎn)處,放一個(gè)帶電量為q(q≪Q)的點(diǎn)電荷,q受到的電場力大小為F,則A點(diǎn)的場強(qiáng)為( )
A.F/Q B.F/q
C.kqr2 D. kQr2
答案:BD
3.下列各電場中,A、B兩點(diǎn)電場強(qiáng)度相同的是( )
圖1-3-12
解析:選C.A圖中,A、B兩點(diǎn)場強(qiáng)大小相等,方向不同,B圖中A、B兩點(diǎn)場強(qiáng)的方向相同,但大小不等,C圖中是勻強(qiáng)電場,則A、B兩點(diǎn)場強(qiáng)大小、方向相同;D圖中A、B兩點(diǎn)場強(qiáng)大小、方向均不相同.
4.(2011年黃岡
高二
檢測(cè))如圖1-3-13所示是靜電場的一部分電場線分布,下列說法中正確的是( )
圖1-3-13
A.這個(gè)電場可能是負(fù)點(diǎn)電荷的電場
B.點(diǎn)電荷q在A點(diǎn)處受到的靜電力比在B點(diǎn)處受到的靜電力大
C.點(diǎn)電荷q在A點(diǎn)處的瞬時(shí)加速度比在B點(diǎn)處的瞬時(shí)加速度小(不計(jì)重力)
D.負(fù)電荷在B點(diǎn)處受到的靜電力的方向沿B點(diǎn)切線方向
解析:選B.因?yàn)?孤立)負(fù)點(diǎn)電荷的電場線是自四周無窮遠(yuǎn)處從不同方向指向負(fù)電荷的球?qū)ΨQ分布,而圖中的電場線分布不具備這種特點(diǎn),所以它不可能是負(fù)點(diǎn)電荷的電場,選項(xiàng)A錯(cuò)誤.
因電場線越密處場強(qiáng)越大,故由圖知場強(qiáng)EA>EB.又因點(diǎn)電荷q在電場中所受靜電力F=qE∝E,故靜電力FA>FB,選項(xiàng)B正確.
由牛頓第二定律知,加速度a=F/m∝F,而FA>FB,故aA>aB.選項(xiàng)C錯(cuò)誤.
因“B點(diǎn)切線方向”即B點(diǎn)場強(qiáng)方向,而負(fù)電荷所受靜電力的方向與場強(qiáng)方向相反,故選項(xiàng)D錯(cuò)誤.
5.一粒子質(zhì)量為m,帶電荷量為+q,以初速度v與水平方向成45°射向空間一勻強(qiáng)電場區(qū)域,恰做直線運(yùn)動(dòng).求這個(gè)勻強(qiáng)電場的最小場強(qiáng)的大小并說明方向.
解析:新 課 標(biāo) 第 一 網(wǎng)
粒子進(jìn)入電場區(qū)域后要受重力和電場力作用而做直線運(yùn)動(dòng),知其合力必與v在一直線上.由圖及力的分解可知,最小的電場力qE=mgcos45°.所以Emin=mgqcos45°=2mg2q ,方向垂直于v指向斜上方.
答案:2mg2q 垂直于v指向斜上方
一、選擇題
1.關(guān)于電場線的敘述,下列說法正確的是( )
A.電場線是直線的地方一定是勻強(qiáng)電場
B.電場線的方向就是帶正電的試探電荷的運(yùn)動(dòng)方向
C.點(diǎn)電荷只受電場力作用時(shí),加速度的方向總是與所在處的電場線的切線重合
D.畫有電場線的地方有電場,沒畫電場線的地方就不存在電場
答案:C
2.一個(gè)檢驗(yàn)電荷在電場中某點(diǎn)受到的電場力為F,這點(diǎn)的電場強(qiáng)度為E,在下圖中能正確反映q、E、F三者關(guān)系的是( )
圖1-3-14
解析:選D.電場中某點(diǎn)的電場強(qiáng)度由電場本身的性質(zhì)決定,與放入該點(diǎn)的檢驗(yàn)電荷及其所受電場力無關(guān),A、B錯(cuò)誤;檢驗(yàn)電荷在該點(diǎn)受到的電場力F=Eq,F(xiàn)正比于q,C錯(cuò)誤,D正確.
3.(2011年啟東中學(xué)高二檢測(cè))
圖1-3-15
如圖1-3-15所示,帶箭頭的直線是某一電場中的一條電場線,在這條線上有A、B兩點(diǎn),用EA、EB表示A、B兩處的場強(qiáng),則( )
A.A、B兩處的場強(qiáng)方向相同
B.因?yàn)锳、B在一條電場線上,且電場線是直線,所以EA=EB
C.電場線從A指向B,所以EA>EB
D.不知A、B附近電場線的分布情況,EA、EB的大小不能確定
解析:選AD.電場線的切線方向指場強(qiáng)方向,所以A對(duì);電場線的疏密程度表示場強(qiáng)大小,只有一條電場線的情況下不能判斷場強(qiáng)大小,所以B、C錯(cuò)誤,D正確.
4.點(diǎn)電荷A和B,分別帶正電和負(fù)電,電荷量分別為4Q和Q,在A、B連線上,如圖1-3-16所示,電場強(qiáng)度為零的地方在( )
圖1-3-16
A.A和B之間 B.A的右側(cè)
C.B的左側(cè) D.A的右側(cè)及B的左側(cè)
解析:選C.因?yàn)锳帶正電,B帶負(fù)電,所以只有在A右側(cè)和B左側(cè)兩者產(chǎn)生的電場強(qiáng)度方向相反,因?yàn)镼A>QB,所以只有B的左側(cè),才有可能EA與EB等大反向,因而才可能有EA和EB矢量和為零的情況.故正確答案為C.
5.如圖1-3-17所示,實(shí)線表示勻強(qiáng)電場中的電場線,一帶電粒子(不計(jì)重力)經(jīng)過電場區(qū)域后的軌跡如圖中虛線所示,a、b是軌跡上的兩點(diǎn),關(guān)于粒子的運(yùn)動(dòng)情況,下列說法中可能的是( )
圖1-3-17
A.該粒子帶正電荷,運(yùn)動(dòng)方向?yàn)橛蒩到b
B.該粒子帶負(fù)電荷,運(yùn)動(dòng)方向?yàn)橛蒩至b
C.該粒子帶正電荷,運(yùn)動(dòng)方向?yàn)橛蒪至a
D.該粒子帶負(fù)電荷,運(yùn)動(dòng)方向?yàn)橛蒪至a
解析:選BD.由運(yùn)動(dòng)軌跡可判定電場力方向向左,則粒子應(yīng)帶負(fù)電,故A、C錯(cuò);運(yùn)動(dòng)a→b與b→a均有可能.故B、D對(duì).
6. (2011年蘇州高二檢測(cè))一帶電粒子從電場中的A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn),軌跡如圖1-3-18中虛線所示.不計(jì)粒子所受重力,則( )
圖1-3-18
A.粒子帶正電
B.粒子加速度逐漸減小
C.A點(diǎn)的速度大于B點(diǎn)的速度
D.粒子的初速度不為零
解析:選BCD.由運(yùn)動(dòng)軌跡可知電場力方向向左,粒子帶負(fù)電,故A錯(cuò);A→B電場強(qiáng)度變小,電場力變小,加速度變小,B對(duì);粒子運(yùn)動(dòng)過程中,電場力與運(yùn)動(dòng)方向的夾角大于90°角,所以速率減小,故C對(duì);若粒子的初速度為0,將沿電場線向左下側(cè)運(yùn)動(dòng),故D對(duì).
7.實(shí)線為三條未知方向的電場線,從電場中的M點(diǎn)以相同的速度飛出a、b兩個(gè)帶電粒子,a、b的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖1-3-19中的虛線所示(a、b只受電場力作用),則( )
圖1-3-19
A.a(chǎn)一定帶正電,b一定帶負(fù)電
B.電場力對(duì)a做正功,對(duì)b做負(fù)功
C.a(chǎn)的速度將減小,b的速度將增大
D.a(chǎn)的加速度將減小,b的加速度將增大
解析:選D.由于電場線方向未知,故無法確定a、b的電性,A錯(cuò);電場力對(duì)a、b均做正功,兩帶電粒子動(dòng)能均增大,則速度均增大,B、C均錯(cuò);a向電場線稀疏處運(yùn)動(dòng),電場強(qiáng)度減小,電場力減小,故加速度減小,b向電場線密集處運(yùn)動(dòng),故加速度增大,D正確.
8.AB和CD為圓上兩條相互垂直的直徑,圓心為O.將電荷量分別為+q和-q的兩點(diǎn)電荷放在圓周上,其位置關(guān)于AB對(duì)稱且距離等于圓的半徑,如圖1-3-20所示.要使圓心處的電場強(qiáng)度為零,可在圓周上再放一個(gè)適當(dāng)?shù)狞c(diǎn)電荷Q,則該點(diǎn)電荷Q( )
圖1-3-20
A.應(yīng)放在A點(diǎn),Q=2q
B.應(yīng)放在B點(diǎn),Q=-2q
C.應(yīng)放在C點(diǎn),Q=-q
D.應(yīng)放在D點(diǎn),Q=-q
解析:選C.由平行四邊形定則得出+q和-q在O點(diǎn)產(chǎn)生的合場強(qiáng)水平向右,大小等于其中一個(gè)點(diǎn)電荷在O點(diǎn)產(chǎn)生的場強(qiáng)的大。箞A心處的電場強(qiáng)度為零,則應(yīng)在C點(diǎn)放一個(gè)電荷量Q=-q的點(diǎn)電荷,故C選項(xiàng)正確.
9.(2011年華南師大附中高二檢測(cè))
圖1-3-21
如圖1-3-21所示,一電子沿等量異種電荷的中垂線由A→O→B勻速飛過,電子重力不計(jì),則電子除受電場力外,所受的另一個(gè)力的大小和方向變化情況是( )
A.先變大后變小,方向水平向左
B.先變大后變小,方向水平向右
C.先變小后變大,方向水平向左
D.先變小后變大,方向水平向右
解析:選B.等量異種電荷電場線分布如圖(a)所示,由圖中電場線的分布可以看出,從A點(diǎn)到O點(diǎn),電場線由疏到密;從O點(diǎn)到B點(diǎn),電場線由密到疏,所以沿點(diǎn)A、O、B,電場強(qiáng)度應(yīng)由小變大,再由大變小,方向?yàn)樗较蛴,如圖(b)所示.由于電子做勻速直線運(yùn)動(dòng),所受合外力必為零,故另一個(gè)力應(yīng)與電子所受電場力大小相等、方向相反,電子受到電場力方向水平向左,且沿點(diǎn)A、O、B運(yùn)動(dòng)的過程中,電場力由小變大,再由大變小,故另一個(gè)力的方向應(yīng)水平向右,其大小應(yīng)先變大后變小,所以選項(xiàng)B正確.
二、計(jì)算題
10.如圖1-3-22所示,在邊長為l的正方形四個(gè)頂點(diǎn)A、B、C、D上依次放置電荷量為+q、+q、+q和-q的點(diǎn)電荷,求正方形中心O點(diǎn)的電場強(qiáng)度.
圖1-3-22
解析:由對(duì)稱性原理可知:若正方形四個(gè)頂點(diǎn)處均放置相同電荷量的電荷,則中心O點(diǎn)的場強(qiáng)為零,因此可把D點(diǎn)的電荷-q等效為兩部分:+q和-2q.
+q和另外三個(gè)點(diǎn)電荷在中心O點(diǎn)的合場強(qiáng)為零,-2q在中心O點(diǎn)的場強(qiáng)為E=2kql2/2=4kql2
故正方形中心O點(diǎn)的場強(qiáng)大小為E=4kql2,方向沿OD連線由O指向D.
答案:4kql2,方向沿OD連線由O指向D.
11.如圖1-3-23所示,兩根長為L的絕緣細(xì)線下端各懸掛一質(zhì)量為m的帶電小球A、B,A、B帶電荷量分別為+q和-q,今加上勻強(qiáng)電場(方向水平向左),場強(qiáng)為E,使聯(lián)結(jié)AB的絕緣細(xì)線(長為L)拉直,并使兩小球處于靜止?fàn)顟B(tài),E的大小應(yīng)滿足什么條件?
圖1-3-23
解析:B球受力如圖所示.
由于B球靜止,有
mg=Fsin60°、賟E=Fcos60°+kq2L2+FT ②
①②式聯(lián)立
高中政治
,并考慮到FT≥0,
得E≥mg3q+kqL2.
答案:E≥mg3q+kqL2
12.豎直放置的兩塊足夠長的平行金屬板間有勻強(qiáng)電場.其電場強(qiáng)度為E,在該勻強(qiáng)電場中,用絲線懸掛質(zhì)量為m的帶電小球,絲線跟豎直方向成θ角時(shí)小球恰好平衡,如圖1-3-24所示,請(qǐng)問:
圖1-3-24
(1)小球帶電荷量是多少?
(2)若剪斷絲線,小球碰到金屬板需多長時(shí)間?
解析:
(1)由于小球處于平衡狀態(tài),對(duì)小球受力分析如圖所示
F sinθ=qE①
F cosθ=mg②
由①②得tanθ=qEmg,故q=mg tanθE.
(2)由第(1)問中的方程②知F=mgcos θ,而剪斷絲線后小球所受電場力和重力的合力與未剪斷絲線時(shí)絲線的拉力大小相等,故剪斷絲線后小球所受重力、電場力的合力等于mgcosθ.小球的加速度a=F合m=gcosθ,小球由靜止開始沿著絲線拉力的反方向做勻加速直線運(yùn)動(dòng),當(dāng)碰到金屬極上時(shí),它經(jīng)過的位移為s=bsinθ,又由s=12at2,t=2sa= 2bcosθgsinθ= 2bgcotθ.
答案:(1) mgtanθE (2) 2bg cotθ
本文來自:逍遙右腦記憶 http://www.portlandfoamroofing.com/gaozhong/65424.html
相關(guān)閱讀:
高考理綜最后一個(gè)月沖刺技巧
上一篇:
高三物理二輪復(fù)習(xí)策略:五個(gè)方面要把握
下一篇:
高中物理知識(shí)點(diǎn)實(shí)用口訣:必修+選修
相關(guān)主題
高考理綜最后一個(gè)月沖刺技巧
北京四中名師指導(dǎo)2012高考物理復(fù)習(xí)
高二理科生變身物理天才的好方法
提高高中物理六大記憶能力
高二物理磁場知識(shí)點(diǎn)匯總(二)
高二物理磁場知識(shí)點(diǎn)匯總(一)
2011遼寧高考理綜試題學(xué)生反映有點(diǎn)難
高二物理(理)學(xué)習(xí)方法:聽講與自學(xué)相結(jié)合
高二物理從三個(gè)方面進(jìn)行訓(xùn)練比較有效
高二物理高分寶典
相關(guān)推薦
推薦閱讀
高考文綜復(fù)習(xí)策略:掌握基礎(chǔ)知識(shí)
近年來各地的高題命題和答案都充分體現(xiàn)了題在書外,理在書中的特點(diǎn),充分體現(xiàn)了新課改的精……
挖掘波速隱含條件,巧解一類波動(dòng)問題
波速是振動(dòng)形式在介質(zhì)中的傳播速度,波速由介質(zhì)性質(zhì)決定,與波的頻率,質(zhì)點(diǎn)的振幅無關(guān)。在……
高二物理第二章恒定電流學(xué)情檢測(cè)題
一、選擇題(本題包括10小題,每小題4分,共40分,在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中,有的只有一個(gè)……
2013高考物理復(fù)習(xí)資料:力(常見的力、力
三、力(常見的力、力的合成與分解) 1)常見的力 1.重力G=mg (方向豎直向下,g=9.8m/s2≈10m/……
高三復(fù)習(xí)物理方法:梳理常識(shí) 多項(xiàng)準(zhǔn)備
一、學(xué)科常識(shí)梳理 最后階段,對(duì)們而言物理學(xué)科常識(shí)方面內(nèi)容是最容易被忽視的。歷年的,以及……
相關(guān)閱讀
如何才能學(xué)好高中物理
如何學(xué)好物理?
物理三大題型典型試題解析
高三物理教案 康普頓效應(yīng)
高中物理萬有引力公式
高考備考指南:考前20天各科 大躍進(jìn) 式?jīng)_
高考物理第二輪磁場專項(xiàng)復(fù)習(xí)題
如何才能學(xué)好高中物理
磁感應(yīng)強(qiáng)度達(dá)標(biāo)測(cè)試題
2011北京高考物理試題選擇題解析 難度適
右腦記憶論壇
|
快速記憶法
|
記憶力培訓(xùn)
|
速讀培訓(xùn)
|
速讀軟件
Copyright(C) 2006-2014
逍遙右腦
All Rights Reserved