短時記憶：是當前一刻能夠意識到的記憶，包括工作記憶和直接記憶。記憶容量為 7±2 個組塊記憶是在頭腦中積累和保存?zhèn)�體經(jīng)驗的心理過程，也就是對輸入信息的編碼、存儲和提取的過程。

瞬時記憶：當客觀刺激停止作用后，感覺信息在一個極短的時間內(nèi)保存下來，這就是長時記憶；內(nèi)隱記憶；外顯記憶

記憶的生物學基礎
均勢說；定位說；SPI理論
反響回路：指神經(jīng)系統(tǒng)中皮層和皮層下組織之間存在的某種閉合的神經(jīng)環(huán)路。

遺忘與記憶的保持
遺忘是指識記過的東西，不能再認或回憶，或錯誤的再認或回憶。記憶的內(nèi)容不能保持或者提取時有困難。
艾賓浩斯遺忘曲線（2005，簡，2） ：他用無意義音節(jié)為材料，證明：遺忘是一個先快后慢的過程。
引起遺忘的原因（2002，簡，2） ：由抑制或干擾引起遺忘、有壓抑造成的遺忘、由衰退引起遺忘、由線索提取引起的遺忘、由腦損傷引起的遺忘

進行有效的復習，提高記憶效率（2007，論，1）：
1）及時復習
2）正確地分配復習時間
3）反復閱讀和試圖回憶相結合
4）注意排除前后材料的相互影響
5）利用外部記憶手段

內(nèi)隱記憶
內(nèi)隱記憶與外顯記憶的關系（2004，簡，3）
1）加工深度因素的影響不同，被試的內(nèi)隱記憶并未受到作業(yè)任務類型的影響，而外顯記憶則明顯受到了影響
2）保持時間不同
3）記憶負荷量的變化產(chǎn)生的影響不同
4）呈現(xiàn)的方式的影響不同
5）干擾因素的影響不同

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