影響遺忘進(jìn)程的因素：
　　（1）識(shí)記材料的性質(zhì)與數(shù)量；
　�。�2）學(xué)習(xí)的程度（過(guò)度學(xué)習(xí)：達(dá)到恰能成誦以后還繼續(xù)學(xué)習(xí)一段時(shí)間；
　　低度學(xué)習(xí)：對(duì)材料的識(shí)記沒(méi)有一次能達(dá)到無(wú)誤背誦的標(biāo)準(zhǔn)）；
　�。�3）識(shí)記材料的系列位置；（*首因效應(yīng)：最先呈現(xiàn)的材料較易回憶，遺忘最少
　　近因效應(yīng)：最后呈現(xiàn)的材料最易回憶，遺忘最少
　　系列位置效應(yīng)：在回憶正確率上，最后呈現(xiàn)的材料　
　　遺忘最少，其次是最先呈現(xiàn)的材料，遺忘最多是中間部分。這種在回憶系列材料時(shí)發(fā)生的現(xiàn)象叫…）
　�。�4）識(shí)記者的態(tài)度（識(shí)記者對(duì)識(shí)記材料的需要、興趣等，對(duì)遺忘的快慢也有一定影響）
　�。�5）除了上述因素外，遺忘還受時(shí)間因素的影響。
　　信息存儲(chǔ)的條件和方法（1）組織有效的復(fù)習(xí)
　　A復(fù)習(xí)要及時(shí)
　　B正確分配復(fù)雜時(shí)間（**集中復(fù)習(xí)：連續(xù)進(jìn)行的復(fù)習(xí)；　分散復(fù)習(xí)：復(fù)習(xí)之間間隔一定的時(shí)間）
　　C閱讀與重現(xiàn)交替進(jìn)行
　　D注意排除前后材料的影響來(lái)源：考試大的美女編輯們
　�。�2）利用外部注意手段
　　（3）注意腦的健康和用腦衛(wèi)生
　　內(nèi)隱記憶與外顯記憶的關(guān)系
　�。�1）加工深度對(duì)內(nèi)、外影響不同（對(duì)外顯記憶影響明顯）；
　�。�2）內(nèi)外的保持時(shí)間不同（內(nèi)保持時(shí)間較長(zhǎng)）；
　�。�3）記憶負(fù)荷量的變化對(duì)內(nèi)外產(chǎn)生不同的影響（影響外）；
　�。�4）呈現(xiàn)方式的改變對(duì)內(nèi)外的影響不同（影響內(nèi)隱）；
　�。�5）干擾因素對(duì)內(nèi)外的影響不同（對(duì)外影響顯著）。來(lái)源：考試大的美女編輯們
　　對(duì)內(nèi)隱記憶的研究不僅擴(kuò)充、豐富了記憶以研究的方法、技術(shù)和內(nèi)容，而且使我們對(duì)人類(lèi)記憶本質(zhì)有了更加深入的認(rèn)識(shí)。

本文來(lái)自：逍遙右腦記憶 http://www.portlandfoamroofing.com/jiyi/xuekejiyi/19109.html

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